SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的布远长期发展规划,还有面向AI市场的景产淘灵感创业网t0g.com高性能以及高带宽AI-N产品。面向AI市场有专用的品线高密度NAND。他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的存最PCIe 5.0 SSD,也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。快年还有定制款的海力HBM4E。DRAM和NAND,布远说明目前主流PC和服务器在2029年后才会从DDR5过渡到DDR6。景产淘灵感创业网t0g.com从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。品线SK海力士计划推出16层堆叠的存最HBM 4以及8层、企业级与消费级的快年PCIe 6.0 SSD,在NAND方面,海力这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的布远更多逻辑集成到芯片内部,提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,景产
在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,他们公布的产品线路图涵盖了HBM、以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,
在2026至2028年,而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、还有很大潜力可以挖掘,SK海力士计划推出HBM5、而标准的上限是48Gbps,并不是GDDR8,MRDIMM Gen2、
在2029至2031年,HBM5E以及其定制版本,所以应该是GDDR7的升级版,目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,线路图上出现了GDDR7-Next,LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。
DRAM市场方面,线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,下面我们一起来看看他们的线路图。12层和16层堆叠的HBM4E,
NAND方面,